半導体・ウェハ分野への有効性

The Current State of Wafer Processing

ウェハ加工の現状

ウェハエッジ(外周部)の面取り・研磨加工の様子

次世代ウェハは、EVや電力制御機器、データセンターなどに使用される次世代パワー半導体の基板として需要が拡大しています。

ウェハ製造工程において、エッジ(外周部)の面取り・研磨加工が不可欠です。

しかし、次世代ウェハはシリコンウェハに比べて非常に硬く脆い特性を持つものがあるため、高品質かつ安定した加工が難しい材料です。

Solutions Through Film Polishing

フィルム研磨によるソリューション

高能率・高品質

砥石研磨の加工能率と、スラリー研磨の仕上げ品質を両立。

安定した加工品質

研磨フィルムを連続送りすることで常に新しい砥粒面を使用し、砥石のような摩耗管理が不要。
また、砥石研磨に比べてチッピングが発生しづらいため、安定した品質保証が実現可能。

環境負荷を低減

固定砥粒方式のためスラリーや排水処理設備が不要で、環境負荷の少ない加工を実現。

工程集約

#100~#20000までの幅広い粒度に対応し、形状出しから鏡面仕上げまでをフィルム研磨のみで実現可能。

研磨フィルムによるウェハエッジの面取り加工イメージ図(ウェハの回転とフィルムの動作による面取りの流れ)

フィルム研磨による加工イメージ